1.设备尺寸：Ｗ700×Ｄ800×Ｈ1500ｍｍ

2.裂片方式：劈裂式。

3.对应MAXφ４英寸晶圆。

      ・材质：GaAs、InP等半导体衬底基板

・厚度：80～200μｍ

・尺寸：晶圆尺寸   φ１～４英寸

・芯片尺寸min200×200μｍ（其中必须纵横比１：２）

注   以上需要进行试加工确认。